淺談等離子體的刻蝕技術

  等離子體刻蝕技術中采用的等離子體是在0.01-1.0真空中輝光放電所形成的非平衡低溫等離子體，這種等離子體的特點是電離度低。

  離子通常少于1％而90％以上都是中性粒子，自由電子和氣體分子之間缺乏熱平衡，氣體溫度不過50-250℃，在電場作用下電子、離子、中性態和激勵態分子之間會發生一系列互作用——彈性或非彈性碰撞。

  在電子與氣體分子的彈性碰撞中只有少量電子能量轉移給氣體分子而使氣體溫度上升，在非彈性碰撞中電子失去的能量要多得多，它激勵分子的內部運動如振動、轉動或電子躍遷從而產生了離子、自由基或亞穩態活性體等。

  等離子體是一種電中性、高能量、全部或部分離子化的氣態物質，包含離子、電子、自由基等活性粒子，借助高頻電磁震蕩、射頻或微波、高能射線、電暈放電、激光、高溫等條件產生。

  等離子體清洗是通過其所含的活性粒子與污染物分子反應使其從固體表面分離來進行的，是一種干式清洗技術，能夠替代傳統的濕法清洗技術，能夠在不破壞材料表面特性的前提下，有效清除材料表面的微塵及其它污染物。

  等離子體清洗與常規的化學清洗相比具有如下優勢：

  1、等離子體清洗時不需要加熱處理，在常溫或低溫環境都具有高效的清洗效果；

  2、等離子體避免了濕式化學清洗中應用酸、堿或有機溶劑等物質帶來的腐蝕等危險，安全可靠；

  3、等離子體清洗無廢液產生，保護環境，最后，等離子體清洗技術最大的特點是不分處理對象的基材類型，對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料，如聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、環氧等都能很好地處理，并可實現整體和局部以及復雜結構的清洗。本文編輯于http://m.tiannuokeji.com